밀도초함수밀접결합 방법을 이용한 Si(100) 표면의 탄화과정 연구
A Stody of CVD growth mechanism of SiC using SCC-DFTB
- 주제(KDC) 420.000
- 발행기관 圓光大學校 基礎自然科學硏究所
- 발행년도 2000
- 파일정보 이 논문은 1998년도 원광대학교의 교비지원에 의해서 연구됨. 감사드립니다
- 총서유형 Journal
- 본문언어 한국어
A Stody of CVD growth mechanism of SiC using SCC-DFTB